光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 辻 正芳 |
| 发表日期 | 1998-10-16 |
| 专利号 | JP2839084B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 InAlGaAs(InAlAs)系の材料を選択成長させたときに生じる側面成長層が素子に対して悪影響を及ぼすことのないようにする。 【構成】 InP基板1上にSiO2マスクを形成し、n型InPバッファ層3、n型InAlGaAs層4、n-型InAlGaAs層5、n-型InAlAs層/InGaAsMQW層6、n-型InAlGaAs層7、n-型InAlAs層8、n型InP層9を選択成長させる。マスクを除去し新たにメサ上にSiO2マスク10を形成し、p型InP層11、n型InP層12、p型InP層13を選択成長させる〔(c)図〕。マスク10を除去し、p型InP層14、p型InGaAsキャップ層15を形成する。エピタキシャル層に溝を形成した後SiO2膜16、p側電極16、n側電極17を形成する〔(d)図〕。 |
| 公开日期 | 1998-12-16 |
| 申请日期 | 1996-04-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81405]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻 正芳. 光半導体素子の製造方法. JP2839084B2. 1998-10-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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