化合物半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 猪口 和彦 |
| 发表日期 | 2008-03-21 |
| 专利号 | JP4097299B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 SiC基板を用いた化合物半導体素子では、SiC基板の表面に格子欠陥が多く存在するため、その上に積層する化合物半導体層にも格子欠陥を誘起させることになる。そのため、発光ダイオード素子においては、高温動作特性や素子信頼性を低下させる原因となり、半導体レーザ素子においては、電流注入によるレーザ発振が未だ実現されていない。従って、本発明の目的は、SiC基板表面の格子欠陥から発生する化合物半導体層の格子欠陥を減少させることにより、高効率の化合物半導体発光素子を提供することにある。 【解決手段】 SiC基板の直上に格子欠陥を吸収するSiC成長層を成長させ、その上にGaAlInN系化合物半導体素子を積層させ、化合物半導体レーザ素子を作製することで、SiC基板の表面上の格子欠陥から誘起される格子欠陥が少ない化合物半導体素子が作製でき、低い発振閾値電流値でのレーザ発振が可能となった。 |
| 公开日期 | 2008-06-11 |
| 申请日期 | 1996-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81407]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 猪口 和彦. 化合物半導体素子及びその製造方法. JP4097299B2. 2008-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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