半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 角田 篤勇 |
| 发表日期 | 2000-10-20 |
| 专利号 | JP2000294878A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 2つの発光領域の位置決めをセルフアラインで行って、少ない結晶成長回数により、1つのチップで2つの波長の光を発生する半導体レーザ素子を作製する。 【解決手段】 基板1上に、一対のクラッド層4、6で挟まれた活性層5上にリッジ8、9埋め込み構造を有する第1の半導体積層構造が設けられ、その上に、一対のクラッド層11、13で挟まれた活性層12を有する第2の半導体積層構造が設けられている。活性層12は、リッジの形状を反映し、屈折率の高い部分を有して成長されている。 |
| 公开日期 | 2000-10-20 |
| 申请日期 | 1999-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81409]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角田 篤勇. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2000294878A. 2000-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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