半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 関井 宏; 速水 一行 |
| 发表日期 | 1993-04-23 |
| 专利号 | JP1993102606A |
| 著作权人 | OMRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ジャンクション·ダウン実装に適した構造の半導体発光素子を提供する。 【構成】 半導体基板10上の活性層12上部に,pクラッド層13,nブロッキング層14およびpキャップ層15を成長させ,pn接合電流阻止層を設ける。pキャップ層15からpn接合面を貫通してエッチングによりV溝16を形成し,pキャップ層15上面およびV溝16内面にZnを拡散させて,nブロッキング層14の一部をp型に反転させて電流狭窄構造とする。pキャップ層上面全体に電極18を設ける。エッチングによって深いV溝を形成できるのでキャップ層15から活性層12までの距離を大きくさせることができる。 |
| 公开日期 | 1993-04-23 |
| 申请日期 | 1991-10-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81420]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OMRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 関井 宏,速水 一行. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1993102606A. 1993-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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