半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 典雄 |
| 发表日期 | 2005-09-09 |
| 专利号 | JP3717206B2 |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 CODを防ぎ、高出力で高信頼性の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 化合物半導体基板1上に設けられた、活性層5をクラッド層3、7で挟んでなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の共振器長方向のへき開された出射端面近傍かつ前記活性層5上に設けられた電流非注入領域8aと、前記出射端面上に積層された、活性層5よりもバンドギャップが大きい半導体層11とを備える。 |
| 公开日期 | 2005-11-16 |
| 申请日期 | 1995-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81434]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子. JP3717206B2. 2005-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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