半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 江川 満; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036487A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体装置の製造方法に関し、butt-joint法によるInAlGaAs系テーパ導波路レーザの製造方法を提供する。 【構成】 有機金属気相成長(MOVPE)法によって、例えば、n-InP基板1の上にn-InPバッファ層2、n-InAlAsクラッド層3、n-InAlGaAs光ガイド層4、InAlGaAs/InAlGaAs多重量子井戸構造5、p-InAlGaAs光ガイド層6、p-InAlAsクラッド層7を成長してレーザ構造を形成した後、レーザ領域とする部分にマスクM1 を形成してエッチングすることによりマスクM1 がないレーザ領域以外の部分のレーザ構造を除去し、その除去した領域のn-InPバッファ層2の上にマスクM1 ,M2 を形成し、n-InPバッファ層2の上にn-InPクラッド層8、InGaAsP光ガイド層9、p-InPクラッド層10を選択成長してテーパ状光導波路を形成する。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81461]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江川 満,藤井 卓也. 半導体装置の製造方法. JP1997036487A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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