化合物半導体のエッチング方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 茂稔; 工藤 裕章; 瀧口 治久 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005581A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体のエッチング方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 GaInAsP半導体結晶薄膜をマスクとしてAlGaAs半導体結晶を選択的に湿式エッチングすることにより、サイドエッチングを抑制し、加工制御性に優れたAlGaAs半導体結晶のエッチングを行う。 【構成】 GaAs基板1上にエピタキシャル成長したAlGaAs半導体結晶2表面に該半導体に格子整合する組成のGaInAsP半導体薄膜結晶3をエピタキシャル成長した後、該薄膜結晶の一部をレジストパターンにしたがってエッチング除去し、これをエッチングマスクとして該AlGaAs半導体結晶を選択的に湿式エッチングする。 【効果】 AlGaAs結晶内部に無用の歪みや損傷を与える事なくサイドエッチングを抑制した湿式エッチングを行うことができる。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81465]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 茂稔,工藤 裕章,瀧口 治久. 化合物半導体のエッチング方法. JP1994005581A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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