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半導体レーザモジュール

文献类型:专利

作者油川 雄司; 大本 隆太郎
发表日期2000-02-18
专利号JP2000047069A
著作权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザモジュール
英文摘要【課題】光導波路内での反射戻り光が大きい場合でも低雑音かつ高結合効率を有し、さらに、光導波路内の反射戻り光量が変動しても最適な伝送品質を有する半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。 【解決手段】スポットサイズ変換領域付き半導体レーザ11と、半導体レーザ11からの出射光に結合された結合光ファイバ12と、半導体レーザ11の出射端面と結合光ファイバ12との結合角度を可変とする角度可変装置13と、結合光ファイバ12内の反射戻り光を分波する分波器14と、分波された光のレベルを検出するレベル検出器15とを設け、角度可変装置13がレベル検出器15によって検出された光のレベルに応じて上記結合角度を可変できるようにする。
公开日期2000-02-18
申请日期1998-07-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81489]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
油川 雄司,大本 隆太郎. 半導体レーザモジュール. JP2000047069A. 2000-02-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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