半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 森田 悦男 |
| 发表日期 | 2005-09-02 |
| 专利号 | JP3713692B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明の目的は、点状欠陥に関係する劣化の進行を抑制または遅らせることのできる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ素子10は、基板14上に、順次、n-Alx1Ga(1-X1-Y1) InY1Asからなる第1のクラッド層16、Alx2Ga(1-X2)Asからなる活性層18、p-Alx3Ga(1-X3-Y3) InY3Asからなる第2のクラッド層20を備えている。第1のクラッド層及び第2のクラッド層を、Alの含有率(X)とInの含有率(Y)とを同時に増減させ、バンドギャップの値が変わらないようにして化合物半導体層の厚さ方向に組成を層状に変調させた組成変調型化合物半導体層で形成する。組成変調型化合物半導体層が、組成プロファイルに依存した格子定数を持ち、連続的に格子がつながっているために、同時にそのプロファイルに依存した歪みを持つ。そこで、組成変調型化合物半導体層が、点状欠陥の拡散の障害層となって、点状欠陥に起因する劣化現象の進行を抑制することができる。 |
| 公开日期 | 2005-11-09 |
| 申请日期 | 1996-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81490]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田 悦男. 半導体レーザ素子. JP3713692B2. 2005-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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