窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 孝夫; 松下 俊雄; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186659A |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 単一のNFP、FFPを有し、低閾値でシングルモードのレーザ光を長時間発振させる。 【構成】 p側クラッド層は少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、そのp側クラッド層の一部、若しくは全部に前記リッジストライプが形成されており、さらにそのリッジのストライプ幅の少なくとも一方が共振面に接近するに従って狭くなるように形成されていることにより水平横モードをシングルにすると共に、超格子よりなるn側クラッド層全体の厚さを0.5μm以上として、n側クラッド層に含まれるAl平均組成を百分率(%)で表した際に、n側クラッド層全体の厚さ(μm)とAl平均組成(%)との積が4.4以上となるように構成することにより垂直横モードをシングルにする。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81494]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,松下 俊雄,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP1999186659A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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