半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 川津 善平; 木村 達也 |
| 发表日期 | 1995-08-29 |
| 专利号 | JP1995231142A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 ホールの注入効率が高く、動作電圧が低い半導体発光素子を得る。 【構成】 p型GaAs基板1上にワイドバンドギャップp-ZnSeクラッド層3をエピタキシャル成長するにおいて、該両者間にそのバンドギャップが基板1より大きく、ワイドバンドギャップp-ZnSeクラッド層3より小さい(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層2を挿入した。 【効果】 基板1とクラッド層3間のバンド不連続が緩和され、ホールのクラッド層3への注入はスムーズに行われ、動作電圧が低減される。 |
| 公开日期 | 1995-08-29 |
| 申请日期 | 1994-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81506]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川津 善平,木村 達也. 半導体発光素子. JP1995231142A. 1995-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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