半導体レーザ素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平山 祥之; 清水 均; 菅田 純雄 |
| 发表日期 | 1993-08-27 |
| 专利号 | JP1993218590A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 MBE装置を用い、一回の連続した結晶成長により製造可能な電流狭窄構造を有する半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 【構成】 溝形状を有する半導体基板上1に、下部クラッド層2、活性層3、上部クラッド層4を順次積層した半導体レーザ素子において、上部クラッド層4は両性不純物が適切にドーピングされた3-5族化合物半導体層からなり、上部クラッド層4の電気抵抗が溝側面において溝底面よりも高くなるようにする。 |
| 公开日期 | 1993-08-27 |
| 申请日期 | 1992-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81512]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平山 祥之,清水 均,菅田 純雄. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP1993218590A. 1993-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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