窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 修二; 岩佐 成人; 長濱 慎一 |
| 发表日期 | 2001-10-19 |
| 专利号 | JP3241250B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現し、特に紫外〜緑色領域で発振する短波長レーザを実現する。 【解決手段】 基板1上に、少なくともn型窒化物半導体よりなる第一のn型クラッド層5と、その第一のクラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層6と、その活性層に接してp型窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層7とが順に積層された構造を有し、さらにp型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記第一のn型クラッド層5の外側に、互いに組成の異なる2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn型の多層膜44を光反射膜として備え、さらにそのn型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面(図6のA面)よりもp型窒化物半導体層に近い位置に形成される。 |
| 公开日期 | 2001-12-25 |
| 申请日期 | 1995-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81516]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 修二,岩佐 成人,長濱 慎一. 窒化物半導体レーザ素子. JP3241250B2. 2001-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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