半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 豊中 隆司; 佐川 みすず; 平本 清久; 土屋 朋信; 篠田 和典 |
| 发表日期 | 1996-02-02 |
| 专利号 | JP1996032173A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】高い光出力でも安定な単一横モードで発振し、高信頼性を有する半導体レーザを提供する。 【構成】InGaAs歪量子井戸活性層とクラッド層を有する半導体レーザで、ストライプ部全体の実効屈折率が、上記ストライプ部の両側部分全体の実効屈折率より0.1%以上0.3%未満大きく、また上記ストライプ部の幅が4μm以下である。 |
| 公开日期 | 1996-02-02 |
| 申请日期 | 1994-07-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81526]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 豊中 隆司,佐川 みすず,平本 清久,等. 半導体レーザ. JP1996032173A. 1996-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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