半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 早川 利郎; 福永 敏明; 和田 貢 |
| 发表日期 | 2001-03-16 |
| 专利号 | JP2001068789A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 Alを含まない活性層材料の使用による長寿命化の効果がより顕著に得られ、そして、長期信頼性もより高い高出力半導体レーザを得る。 【解決手段】 Alを含まない量子井戸層4cおよび光導波層4a、4b、4d、4eを少なくとも含む活性領域4を有し、クラッド層3、5がAlGaAsあるいはAlGaInPからなる半導体レーザにおいて、光導波層の厚みを少なくとも一方(光導波層4aおよび4b、あるいは光導波層4dおよび4e)において0.25μm以上とし、光導波層の量子井戸層4c側の少なくとも10nmの領域(光導波層4b、4d)を除いた部分(光導波層4a、4e)に不純物を1017cm-3以上ドーピングする。 |
| 公开日期 | 2001-03-16 |
| 申请日期 | 1999-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81536]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川 利郎,福永 敏明,和田 貢. 半導体レーザ. JP2001068789A. 2001-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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