窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥 保成; 亀井 英徳 |
| 发表日期 | 2005-06-10 |
| 专利号 | JP3684841B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光強度を更に向上させることにより屋外用フルカラーディスプレイ等により一層好適に利用できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の提供。 【解決手段】 基板1の上に少なくともn型クラッド層3とp型クラッド層5とこれらの間の発光層4を積層したGaN系化合物半導体発光素子において、発光層4をn型層41とp型層42の積層体またはこれらの層41,42の間に積層するi型層との積層体とし、発光層4自身の中にp-n接合を形成することによって、発光層4への電子と正孔の注入を促し、発光層4による発光強度を上げる。 |
| 公开日期 | 2005-08-17 |
| 申请日期 | 1998-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81542]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥 保成,亀井 英徳. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP3684841B2. 2005-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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