半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 康仁; 辻村 歩 |
| 发表日期 | 1995-02-21 |
| 专利号 | JP1995050448A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 500nm付近の発振波長を有するリッジ型青色半導体レーザを提供する。 【構成】 n-GaAs基板1上に、n-ZnMgSSeクラッド層2、n-ZnSSeガイド層3、アンドープCdZnSe活性層4、p-ZnSSeガイド層5、p-ZnMgSSeクラッド層6およびp-ZnSeキャップ層7を順次形成する。p型領域にエッチングを用いて溝13およびリッジ部14を形成する。リッジ部14の平坦部以外のリッジ部14の側面および溝13等にSiO2/TiO2の多層膜8を形成する。リッジ部14の平坦部に電極を形成する。n-GaAs基板1側の電極を形成して、リッジ型半導体レーザが作成される。埋め込み層にSiO2/TiO2の多層膜8を用いているので、光もキャリアも効率良く閉じこめられ、発振に必要なしきい値電流は飛躍的に低減することができる。 |
| 公开日期 | 1995-02-21 |
| 申请日期 | 1993-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81544]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 康仁,辻村 歩. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1995050448A. 1995-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。