半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉井 重雄; 上山 智; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068251A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 特にII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザ素子において、新規なエッチングストップ層を用いてリッジ形状の制御性を高め、高精度かつ低損傷の素子構造とその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 第一のクラッド層206と第二のクラッド層208の間にZnSSeTe混晶からなるエッチングストップ層207を設けることにより、第二クラッド層をエッチングする際に十分なエッチング選択比を得ることができる。その結果、電流阻止層212と光ガイド層205cの間の距離を精密に制御するとともに結晶への損傷を抑制することができ、結果としてII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザ素子の特性を向上することができる。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81546]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉井 重雄,上山 智,佐々井 洋一. 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法. JP1999068251A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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