半導体装置および半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 茂樹; 簗嶋 克典; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP2000244070A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置および半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、ヘテロ界面を横切って電流が流れやすくし、伝導性の向上を図る。 【解決手段】 互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、そのヘテロ界面に、バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層または組成傾斜層を挿入する。GaN系半導体レーザでは、n型GaNコンタクト層4とn型AlGaNクラッド層6とのヘテロ界面にn型AlGaN/GaN超格子層5またはn型AlGaNグレーディッド層を挿入し、p型AlGaNクラッド層11とp型GaNコンタクト層13とのヘテロ界面にp型AlGaN/GaN超格子層12またはp型AlGaNグレーディッド層を挿入する。 |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 申请日期 | 1999-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81555]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 茂樹,簗嶋 克典,池田 昌夫. 半導体装置および半導体発光素子. JP2000244070A. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。