光半導体装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆 |
| 发表日期 | 1998-06-26 |
| 专利号 | JP1998173277A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 スポットサイズ変換(SSC)機能を有する領域においても光学利得が得られるようにして、低閾値電流で高温特性の劣化のないLDを提供する。 【構成】 InP基板101上に、ストライプ状の開口を有しマスク幅が導波方向で変化する一対のマスク(図示なし)を形成し、SCH層(光閉じ込め層)103、MQW層104、SCH層105を、103、105は高圧の成長圧力で、104の少なくとも井戸層は低圧の成長圧力でMOVPE選択成長する。これにより、103、105はマスク幅の広い部分では厚く狭い部分では薄く形成されるが、104の井戸層は全領域において一定の膜厚、一定のバンドギャップに形成される。p-InP層107、n-InP層108、p-InP層109を選択成長し、更にクラッド層110、キャップ層111を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-06-26 |
| 申请日期 | 1996-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81622]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆. 光半導体装置とその製造方法. JP1998173277A. 1998-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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