半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 将夫; 堀内 勝忠; 今村 慶憲 |
| 发表日期 | 1993-02-26 |
| 专利号 | JP1993048073A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】チップ間の電気配線の抵抗、容量、インダクタンスによる信号伝達遅延をなくしたマルチチップ方式の半導体装置を提供すること。 【構成】Si基板1上に、光導波路3、金属配線14が形成されている。ホトダイオード12a、レーザーダイオード12bと電子集積回路を同じチップ上に配置した光電子集積回路チップ4がこのSi基板1に貼り付けられ、かつ、チップ4は、ホトダイオード12a、レーザーダイオード12bと光導波路3が光学的に接続するように、またSi基板1上の金属配線14とチップ上のボンディングパッドが電気的に接続するように位置合わせされている。 |
| 公开日期 | 1993-02-26 |
| 申请日期 | 1991-08-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 将夫,堀内 勝忠,今村 慶憲. 半導体装置. JP1993048073A. 1993-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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