窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小池 正好; 手銭 雄太; 永井 誠二; 湧口 光雄 |
| 发表日期 | 1999-07-02 |
| 专利号 | JP1999177185A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザのキャビティの反りを小さくして端面の平行度を向上させ、発振しきい電流密度を低下させ発光効率を向上させること。 【解決手段】サファイア基板1のa面上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る各層2〜9を形成した半導体レーザ100において、キャビティRの長さ方向をサファイア基板のc軸に垂直な方向(m軸)とした。サファイア基板1のa面上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させると、その半導体はその半導体のc軸に沿って成長する。この時、基板は反るが、基板面の反りはm軸方向が最も小さい。よって、a面上において、このm軸方向に光軸が向くようにキャビティRを形成すれば、両端面Sの平行度が高くなる。 |
| 公开日期 | 1999-07-02 |
| 申请日期 | 1997-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81638]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小池 正好,手銭 雄太,永井 誠二,等. 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ. JP1999177185A. 1999-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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