半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 満原 学; 馬渡 宏泰; 杉浦 英雄 |
| 发表日期 | 2000-04-21 |
| 专利号 | JP2000114652A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 注入電流の変化に伴う発振波長の変動を抑制するとともに、高い光出力を得るのに好適な半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層19を挟んで下側に設けられた光閉じ込め層を、異なる屈折率を有する2つのInGaAsP層17,18から構成し、活性層19を挟んで上側に設けられた光閉じ込め層を、異なる屈折率を有する2つのInGaAsP層20,21から構成するとともに、InGaAs光閉じ込め層21のp型InPクラッド層22側の面に回折格子を設けた。 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1998-10-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81650]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 満原 学,馬渡 宏泰,杉浦 英雄. 半導体レーザ. JP2000114652A. 2000-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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