V溝構造を有する半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 長尾 哲; 清見 和正; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125277A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | V溝構造を有する半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 品質のよい量子細線を、容易に得られる構造を提供する。 【構成】 半導体基板又は半導体基板上に成長させたエピタキシャル成長層の少なくとも一部に断面がV字になる溝を有し、該V字になる溝の底の部分に歪を有する活性層を設け、該活性層が、クラッド層により埋め込まれた構造を有する半導体装置。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81656]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,長尾 哲,清見 和正,等. V溝構造を有する半導体装置. JP1996125277A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。