半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 窪田 晋一; 堀野 和彦; 倉又 朗人 |
| 发表日期 | 2007-03-30 |
| 专利号 | JP3936109B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】III-V化合物半導体レーザの横モード制御を容易にし、ビーム形状の縦横比を改善し、さらに、AlN 層の成長やパターニングによるダメージを減らす。 【解決手段】n型クラッド層又はp型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層内もしくは前記少なくとも一方のクラッド層と活性層の間に、厚さ0〜300nmのAlN からなる横モード制御層を設けた。また、基板上にマスク層を形成し、それを覆うようにAlN 層を形成した後、前記マスク層をエッチングできる溶液を用いてAlN 層をリフトオフする。 |
| 公开日期 | 2007-06-27 |
| 申请日期 | 1999-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窪田 晋一,堀野 和彦,倉又 朗人. 半導体発光装置及びその製造方法. JP3936109B2. 2007-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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