半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野口 悦男; 近藤 進; 曲 克明; 吉本 直人; 福田 光男 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242563A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 マストランスポートを起こり易くし、活性層を含む活性領域のメサ構造体両側面がマストランスポートにより安定な順メサの(111)面を形成させ、活性層への損傷を低減させることにより、素子特性の均一性を増し、製作歩留まりを向上させることを目的とする。 【解決手段】 Alを構成元素とする層を有し〈111〉方向に平行に延びるメサ構造と、前記メサ構造の側面を覆うマストランスポートにより形成されるクラッド層と、前記クラッド層で覆われたメサ構造を埋め込む半導体層とを有する半導体光素子の製造方法であって、前記メサ構造を形成する第lの工程と、前記クラッド層の側面が(111)面となるまでマストランスポートを行う第2の工程、前記クラッド層で覆われたメサ構造を埋め込む半導体層を形成する第3の工程を有する半導体光素子の製造方法。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81675]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野口 悦男,近藤 進,曲 克明,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1998242563A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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