半導体発光素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 築地 直樹; 池上 嘉一 |
| 发表日期 | 1995-05-19 |
| 专利号 | JP1995131124A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 劣化を抑制し、信頼性を向上させることができる半導体発光素子とその製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板7上に、活性層6を含むエピタキシャル層を形成し、半導体基板7裏面とエピタキシャル層側に電極1a、1b、8を設けた半導体発光素子において、エピタキシャル層側には、活性層6上に位置する電極1aと、活性層上から離れて位置する電極1bとを設け、電極1aと電極1bとの間に初期通電を施す。 |
| 公开日期 | 1995-05-19 |
| 申请日期 | 1993-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81685]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 築地 直樹,池上 嘉一. 半導体発光素子とその製造方法. JP1995131124A. 1995-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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