半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中原 健 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068582A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 エージングによって活性層22の光導波路38にレーザ光を生じさせると、光導波路38の端部がレーザ光を吸収して発熱する。そして、この熱によって結晶成長層32の端面に形成された膜40中の亜鉛(Zn)が活性層22へ向けて拡散される。活性層22における光導波路38の端部に亜鉛(Zn)が拡散されると、その部分において格子の規則性が破壊(無秩序化)されて透明領域38aが形成される。 【効果】 レーザ特性を安定させることができるとともに、製造工程を簡素化できる。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81693]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原 健. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2000068582A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。