半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 坂井 英行; 木村 壮一 |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995030204A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体発光素子の信頼性と歩留まりとを向上させる。 【構成】液相エピタキシャル成長用カ-ボンボ-ト48のスライドボ-ド41に設けた基板ホ-ルダ-42にメサストライプを形成したダブルへテロ接合基板43を載せ、その上部をP型InP単結晶基板カバ-44で覆い、その上にカ-ボンの蓋45をして、液相エピタキシャル成長炉の中で昇温することにより、P型InP単結晶基板カバ-44から不純物(Zn)をダブルへテロ接合基板43に拡散させ、その表面の浅い部分にP型反転層を形成させた。これにより、P型InPブロック層のZnがInGaAsP活性層に過剰に拡散することを防止でき、その過剰拡散が原因で起きるリ-ク電流の増加と素子の劣化を防ぐことができ、その結果、ウエハ-歩留まりと素子の信頼性との向上が図られる。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81734]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂井 英行,木村 壮一. 半導体発光素子の製造方法. JP1995030204A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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