半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平谷 雄二 |
| 发表日期 | 1998-01-06 |
| 专利号 | JP1998004246A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 III-Vナイトライドから成る半絶縁性の電流狭窄層を有する半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 SiNx膜104を選択成長マスクとし、炭素原子を1017個/cm3以上の濃度で含有するようにドーピングしつつ、III-Vナイトライド105を成長形成する。得られたIII-Vナイトライド層105は、半絶縁性の層となるので、電流狭窄層や光導波路のクラッド層として使用できる。パターニングを要することなく、所望の形状の半絶縁性層が成長形成できるので、性能が高い発光素子が形成できる。III-Vナイトライド層の成長は、III族又はV族の原料の何れかにアルキル基を有する化合物を用いたガスソースMBE法により行なう。 |
| 公开日期 | 1998-01-06 |
| 申请日期 | 1996-06-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81750]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平谷 雄二. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1998004246A. 1998-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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