半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松原 邦雄 |
| 发表日期 | 1996-06-25 |
| 专利号 | JP1996167757A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】電流狭窄層の高濃度のドーパントの拡散を防止し、電流狭窄のためのp-n接合が所定の位置に形成できる構造のLD素子を提供する。 【構成】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層2、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層3、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層4、第2導電型のGaAsのキャップ層5、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層6、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層7、第2導電型のGaAsのコンタクト層8が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子において、キャップ層5と電流狭窄層6の界面にGaAs酸化層51を有する。 |
| 公开日期 | 1996-06-25 |
| 申请日期 | 1994-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81754]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 邦雄. 半導体レーザ素子. JP1996167757A. 1996-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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