半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 哲哉; 矢代 弘克; 尾上 浩三 |
| 发表日期 | 1994-10-07 |
| 专利号 | JP1994283811A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザーの製造において、半導体レーザー素子の出射面に対する保護膜を、その膜厚の制御性よく形成できる方法を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子を製造する方法において、素子の光出射端面に対する保護膜を形成するに際し、水性液状媒体上に展開した両親媒性有機物質の単分子膜を前記端面に移し取るラングミュアブロジェット法により、前記端面に誘電体保護膜を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-10-07 |
| 申请日期 | 1993-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81763]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 哲哉,矢代 弘克,尾上 浩三. 半導体レーザの製造方法. JP1994283811A. 1994-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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