半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 康真; 大久保 典雄 |
| 发表日期 | 1999-05-11 |
| 专利号 | JP1999126942A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光出力発振時における端面劣化が抑制され、信頼性の高い半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板の上に半導体のエピタキシャル成長層を積層して成り、劈開面3a,3bを発光端面とし、かつその劈開面が半導体のエピタキシャル成長膜6a,6bで被覆されているレーザ素子本体4の上面および下面に駆動電極5a,5bが装荷されている半導体レーザ素子において、少なくとも上面に装荷されている駆動電極5aがタングステンシリサイドから成り、前記エピタキシャル成長層6a,6bは550℃以上の温度で形成される。 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 申请日期 | 1997-10-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81775]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 康真,大久保 典雄. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1999126942A. 1999-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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