半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 倉掛 博英; 松田 学 |
| 发表日期 | 1993-12-10 |
| 专利号 | JP1993327128A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、半導体発光装置に関し、光導波路の構造に依存しないで安定して低い反射率が得られることができる半導体発光装置を提供することを目的とする。 【構成】 光導波路構造を有し、該光導波路両端の端面の少なくともどちらか一方に高屈折率膜と低屈折率膜からなる反射防止膜を有する半導体発光装置において、該反射防止膜11が該端面上に形成されたセレン化亜鉛からなる高屈折率膜9膜と、該高屈折率膜9上に形成された少なくとも1層以上の屈折率が3 以上4 以下の低屈折率膜10とからなるように構成する。 |
| 公开日期 | 1993-12-10 |
| 申请日期 | 1992-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81778]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉掛 博英,松田 学. 半導体発光装置. JP1993327128A. 1993-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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