半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志; 木下 優子; 野口 裕泰; 奥山 浩之 |
| 发表日期 | 1997-12-22 |
| 专利号 | JP1997331082A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型導電層中における非発光再結合中心となる欠陥種の生成を抑制することにより、発光効率を高くすると共に劣化を遅くすることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型のGaAs基板1の上にII-VI族化合物半導体によりそれぞれ形成されたn型クラッド層2,ガイド層3,活性層4,ガイド層5およびp型クラッド層6を順次積層する。n型クラッド層2には塩素等のn型不純物を添加する。p型クラッド層6にはp型不純物として窒素を添加すると共に、n型不純物である塩素もp型不純物に比べて少量添加する。これによりp型クラッド層6において、非発光再結合中心となる欠陥種の生成が抑制される。 |
| 公开日期 | 1997-12-22 |
| 申请日期 | 1996-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81791]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,木下 優子,野口 裕泰,等. 半導体発光素子. JP1997331082A. 1997-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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