半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 和田 貢; 福永 敏明 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335979A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 層界面および層界面の上に成長する結晶が高品質となり、高出力発振下においても信頼性の高い半導体レーザを得る。 【構成】 活性層5を2元以上のV族元素を含む組成とし、この活性層5を挟む光導波層4、6およびクラッド層3、7をV族元素およびIII 族元素を含む組成とし、上記光導波層4、6およびクラッド層3、7のV族元素の組成比を活性層5のV族元素の組成比と同じとする一方、該光導波層4、6およびクラッド層3、7のIII 族元素の組成比を変えることにより分離閉じ込めヘテロ構造を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81806]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 貢,福永 敏明. 半導体レーザ. JP1995335979A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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