半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 別所 靖之; 大保 広樹; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 2009-02-05 |
| 专利号 | JP2009027149A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】内部構造を簡素化することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置100は、n型GaAs基板51の表面上に形成され、n型GaAs基板51からn型AlGaAsクラッド層11、活性層12およびp型AlGaAsクラッド層13を積層した赤外半導体レーザ素子10と、n型AlGaInPクラッド層21、活性層22およびp型AlGaInPクラッド層23を積層した赤色半導体レーザ素子20と、n型AlGaNクラッド層41、活性層42およびp型AlGaNクラッド層43を積層した青紫色半導体レーザ素子40とを備え、n型AlGaNクラッド層41側が、融着層60を介してn型GaAs基板51の表面上に接合されることにより、n型AlGaNクラッド層41は、n型AlGaAsクラッド層11およびn型AlGaInPクラッド層21と電気的に接続されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-02-05 |
| 申请日期 | 2008-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81808]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之,大保 広樹,畑 雅幸. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2009027149A. 2009-02-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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