半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志; 松元 理; 伊藤 哲; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1996-04-12 |
| 专利号 | JP1996097518A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 高信頼性かつ長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた青色ないし緑色発光の半導体発光素子を実現する。 【構成】 クラッド層や活性層の材料としてII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザーや発光ダイオードなどの半導体発光素子において、活性層を、三元のZnCdSeにZn、CdおよびSeよりも原子半径が小さいSを加えた四元のZnCdSSeにより構成する。あるいは、活性層を、二元のZnSeにZnおよびSeよりも原子半径が小さいSを加えた三元のZnSSeにより構成する。 |
| 公开日期 | 1996-04-12 |
| 申请日期 | 1994-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81827]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,松元 理,伊藤 哲,等. 半導体発光素子. JP1996097518A. 1996-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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