半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹見 政義; 小野 健一; 花巻 吉彦; 綿谷 力; 八木 哲哉; 西口 晴美; 佐々木 素子; 阿部 真司; 吉田 保明 |
| 发表日期 | 2004-07-22 |
| 专利号 | JP2004207682A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高濃度にドーピングしたp型GaAs層のp型ドーパントが活性層へ拡散することを防止しまたは抑制して、高キャリア濃度のコンタクト層を得る。その結果、素子抵抗を低減した、高出力·高効率の半導体レーザ素子を得る。 【解決手段】 半導体レーザ素子は、活性層3と、p型クラッド層2と、p型キャップ層1とが順に積層されている。p型キャップ層1bは、p型ドーパントおよびn型ドーパントの両方を含む。またはp型キャップ層は、第1のp型ドーパントで形成された、活性層から遠い第1の層1a、および、第1のp型ドーパントよりも拡散係数の小さい第2のp型ドーパントで形成された、活性層に近い第2の層1bを備えている。またはp型キャップ層1eは、p型ドーパントとして炭素(C)が添加されている。これらの構成によれば、p型ドーパントが活性層およびp型クラッド層側に拡散するのを防止できる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-07-22 |
| 申请日期 | 2003-07-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹見 政義,小野 健一,花巻 吉彦,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2004207682A. 2004-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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