半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺門 知二 |
| 发表日期 | 1993-11-16 |
| 专利号 | JP1993304334A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 耐環境性能に優れた高性能な半導体レーザを低価格で大量に作成する半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 n-InPからなる半導体基板1の(100)面上に形成された〈011〉方向の2本のストライプマスク2を選択マスクとして用い、有機金属気相成長法で活性層ストライプ13を形成し、ストライプ2を除去し、埋め込み成長を行なう。 【効果】 結晶成長法として有機金属気相成長法を用いているため、本質的に2インチ以上の円形ウエハを用いた大面積·均一成長が可能である。さらに、マスクを用いる選択成長法によって活性層ストライプを形成するため、活性層ストライプの側壁を原子層オーダーで平滑にできる。その結果、半導体レーザの導波路散乱が無くなり導波路損失を小さくすることができるため、半導体レーザの発振しきい値電流·動作電流を低減できる。 |
| 公开日期 | 1993-11-16 |
| 申请日期 | 1992-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81848]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺門 知二. 半導体レーザの製造方法. JP1993304334A. 1993-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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