中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半導体発光素子およびその製造方法

文献类型:专利

作者戸田 淳; 石橋 晃; 白石 誠司; 野口 裕泰; 左中 由美; 長井 政春; ジョン フランシス ドネガン; クリストフ ジョーダン; デイビッド トーマス フューワー; エスネ マリー マッキャプ
发表日期1998-11-04
专利号JP1998294494A
著作权人ソニー株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子およびその製造方法
英文摘要【課題】 活性層およびその近傍における欠陥密度が容易に低減され寿命を容易延長できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 n型基板1の上に第1導電型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8および第2導電型クラッド層9を順次積層する。第1導電型クラッド層5,第2導電型クラッド層9のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する光(波長440nm)を第2導電型クラッド層9側から照射する。これにより、第1導電型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8および第2導電型クラッド層9では光をそれぞれ吸収し、励起によりキャリアの発生·再結合が起こり、欠陥密度が減少する。よって、発光効率が向上し、寿命が延長する。
公开日期1998-11-04
申请日期1997-04-21
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81853]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ソニー株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
戸田 淳,石橋 晃,白石 誠司,等. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998294494A. 1998-11-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。