半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 岡本 國美; 田中 良宜 |
| 发表日期 | 2009-04-30 |
| 专利号 | JP2009094360A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【課題】簡単な構造で、閾値電流を低くすることができる半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】半導体レーザダイオード70は、基板1と、この基板1上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造2とを含む。III族窒化物半導体積層構造2は、n型半導体層11、発光層10、およびp型半導体層12を積層して構成されている。n型半導体層11はn型GaNクラッド層14およびn型InGaNガイド層15を含み、p型半導体層12はp型AlGaN電子ブロック層16およびp型GaNガイド·コンタクト層17を含む。p型GaNガイド·コンタクト層17の表面に、透明電極からなるp型電極4がオーミック接触している。p型電極4は、上部クラッド層として兼用される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-04-30 |
| 申请日期 | 2007-10-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81864]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 國美,田中 良宜. 半導体レーザダイオード. JP2009094360A. 2009-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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