光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 東 敏生; 吉野 卓至 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223968A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体装置に関し、従来に於ける通常の光半導体装置を製造するプロセスと同様なプロセスを採り、最後の段階で簡単なエッチング·プロセスを実施することで、光ビーム放射角を簡単に調節できるようにする。 【解決手段】 活性層22がクラッド層23、コンタクト層24などの所要各半導体層の積層方向(縦方向)を横切る方向(横方向)の全面に延在するリッジ導波路型半導体レーザに於いて、光の出射側に於ける活性層22の端面が他の所要各半導体層本体の端面に比較して奥まった位置に在る。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81871]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東 敏生,吉野 卓至. 光半導体装置. JP1998223968A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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