半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 岡井 誠; 上島 研一; 高橋 健夫 |
| 发表日期 | 1999-10-15 |
| 专利号 | JP1999284283A |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 光強度分布が均一な超高出力半導体レーザを再現性よく実現する。 【解決手段】 アレイ状ストライプの端面近傍をフレア状に広げ光り結合させるとともに、フレア基部と通常幅のストライプの間に階段状にストライプ幅が変化する部分を設ける。 【効果】 フレア構造により端面破壊レベルを向上するとともに、フレア構造により発生する高次横モードの発生を抑制し、発光均一性を向上するとともに動作電流を低減できる。 |
| 公开日期 | 1999-10-15 |
| 申请日期 | 1998-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81879]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,岡井 誠,上島 研一,等. 半導体レーザ. JP1999284283A. 1999-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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