半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 進; 江川 満; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 1996-11-22 |
| 专利号 | JP1996307016A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、光通信用半導体発光素子の製造方法、特に1回のプロセスで複数の高品質素子を同時に、且つ制御性良く作る。 【構成】 マスクが表面に選択的に形成された半導体基板上に、ハロゲン元素を含むガスを導入し、気相成長法を用いて露出された該半導体基板上に半導体層を選択的に形成する半導体装置の製造方法において、半導体層はアルミニウム原子を含む III-V族化合物半導体層からなり、気相成長法に有機金属気相成長法を用い、且つハロゲン元素に塩素を用いる。 |
| 公开日期 | 1996-11-22 |
| 申请日期 | 1995-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81883]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 進,江川 満,藤井 卓也. 半導体装置の製造方法. JP1996307016A. 1996-11-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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