光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 1996-07-12 |
| 专利号 | JP1996181376A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層端部での実効的反射率を低下させることが可能な光半導体素子の提供。 【構成】 基板1上にストライプ状の活性層3を形成し、この活性層3をクラッド層4、電極7等で覆い光半導体素子を形成するとともに、この活性層3の端面3bを活性層3から放出される光の方向に対して13度の角度に傾斜させて形成した。このように端面3bを傾斜させることにより活性層3から放出される光が活性層3の端面3bで反射しても再度光導波路10に結合しなくなる。従って、放出光と反射光とが干渉し合って利得が低下するのを防止することができる。 |
| 公开日期 | 1996-07-12 |
| 申请日期 | 1994-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81895]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昌太郎. 光半導体素子. JP1996181376A. 1996-07-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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