半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 真人; 穴山 親志; 小路 元 |
| 发表日期 | 2002-10-18 |
| 专利号 | JP3360105B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 面方位が(100)以外の、または表面に段差、溝またはリッジ等が形成されたV族元素にAsを含むIII-V族化合物半導体基板を使用した、新たな半導体装置の製造技術を提供する。 【構成】 (100)面が表出した平坦面と、(n11)B面(nは1≦nの実数)が表出した斜面とを含む表面を有するIII-V族化合物半導体の段差基板を準備する工程と、前記段差基板の上に、p型不純物とn型不純物を同時にまたは交互にドーピングしつつ、前記斜面に沿う領域でn型、前記平坦面に沿う領域でp型になるようにIII-V族化合物半導体をエピタキシャルに成長するエピタキシャル成長工程とを含む。 |
| 公开日期 | 2002-12-24 |
| 申请日期 | 1994-03-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81913]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志,小路 元. 半導体装置の製造方法. JP3360105B2. 2002-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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