半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木村 壮一 |
| 发表日期 | 1997-05-30 |
| 专利号 | JP2656860B2 |
| 著作权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To enable a semiconductor light emitting diode to be enhanced in reliability. CONSTITUTION:Two stripe-shaped grooves 12 prescribed in width and depth are provided to an epitaxially grown substrate 1 A light emitting part is provided to a region inside the two stripe-shaped grooves 12. An Au electrode 15 is deposited not in the stripe-shaped grooves 12 but separate outside and inside the stripe-shaped grooves 12. A stress applied onto the light emitting part of the epitaxially grown substrate 11 can be lessened, and a semiconductor light emitting element can be protected against deterioration and enhanced in reliability. |
| 公开日期 | 1997-09-24 |
| 申请日期 | 1990-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81917]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 壮一. 半導体発光素子およびその製造方法. JP2656860B2. 1997-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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