半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 有元 洋志; 鹿島 保昌 |
| 发表日期 | 1993-08-13 |
| 专利号 | JP1993206569A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光素子のP型ブロック層上のP型InGaAsP4元層をエッチングで落とし、その部分での発光を抑え、低閾値電流化を図る。 【構成】 P型InPブロック層4上に液相成長法により、P型InPバッファ層2、N型InPブロック層3、P型InPブロック層4を順次成長させ、エッチングによりV溝5が形成され、更にP型InPクラッド層6、InGaAsP活性層7、N型InPクラッド層8、N型InGaAsPコンタクト層9、InP保護層10、P型InGaAsP4元層11が形成され、InGaAsP活性層7をそれよりもバンドギャップの大きな前記InPクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造を有する半導体発光素子の製造方法において、InP保護層10をエッチングする工程と、N型InGaAsPコンタクト層9、前記V溝5内の部分を除くN型InPクラッド層8およびP型InGaAsP4元層11をエッチングする工程と、次いで、N型InPクラッド層21、N型InGaAsPコンタクト層22、InP保護層23を再度成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-08-13 |
| 申请日期 | 1992-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81925]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 有元 洋志,鹿島 保昌. 半導体発光素子の製造方法. JP1993206569A. 1993-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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