半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高山 徹; 今藤 修; 粂 雅博; 吉川 昭男; 内藤 浩樹 |
| 发表日期 | 1997-01-10 |
| 专利号 | JP1997008414A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光ディスクの光源として用いる、非点隔差が小さく低雑音で低出力から高出力まで横モードの安定な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 n型のGaAsよりなる半導体基板1の上に、n型のGaAsよりなるバッファ層2、n型のGa0.45Al0.55Asよりなる第1クラッド層3、Ga0.85Al0.15Asよりなる活性層4、p型のGa0.45Al0.55Asよりなる第1光ガイド層5、p型のGa0.8 Al0.2 Asよりなる第2光ガイド層6が形成されている。第2の光ガイド層6の上には、共振器方向に対して不連続なp型のGa0.45Al0.55Asよりなるストライプ領域7aが形成されていると共にストライプ領域7aの両側にはn型のGa0.3 Al0.7 Asよりなる電流ブロック層7が形成されている。ストライプ領域7a及び電流ブロック層7の上にはp型のGa0.45Al0.55Asよりなる第2クラッド層8が形成され、第2クラッド層8の上にはp型のGaAsよりなるコンタクト層9が形成されている。 |
| 公开日期 | 1997-01-10 |
| 申请日期 | 1995-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81945]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹,今藤 修,粂 雅博,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1997008414A. 1997-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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